在所有常年興起的記憶中， MRAM 似乎最有可能瀕臨大規模，廣泛采用。這是否會很快發生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。

MRAM以及PCRAM和ReRAM已經達到了一個臨界點，在更多應用中它比以往任何時候都有意義。然而，從工藝和材料角度來看，它的確面臨著一系列制造挑戰，因為它使用的材料和工藝與傳統CMOS制造不同。

目前MRAM是在單獨的工廠中作為[線的后端]（BEOL）工藝制造的。需要傳統的CMOS制造中不使用的新設備，例如離子束蝕刻和新的濺射靶。為了降低嵌入式MRAM產品的成本，制造需要進入CMOS晶圓廠，并成為常規設備制造的一部分。

除了將MRAM進一步整合到制造鏈中之外，與其他半導體制造工藝一樣，質量控制和良率提高將是一個持續的挑戰和機遇，而且事實是所有大型半導體代工廠都已將MRAM存儲器作為一種選擇。嵌入式產品意義重大。通過將MRAM集成到其嵌入式產品中，并將MRAM大量應用于常規設備制造中，將解決產量和質量問題，并且用于MRAM生產的獨特工具將變得更加普遍，并將更多地嵌入到代工生產中。這將降低成本并提高可用性。

Applied Materials專門解決MRAM所特有的挑戰，包括對新型材料的需求。它已將Endura平臺從單一處理系統發展為集成處理系統，并將其作為包括MRAM在內的新興存儲器的材料工程基礎的一部分。

MRAM的最大制造挑戰與堆棧的復雜性和所需的層數（超過30層）有關。之所以如此復雜，是因為這些層有多種用途。從根本上說，MRAM基本上由狹小的磁鐵組成，因此需要能夠保持一定方向（包括底部參考層）不受任何外部磁場影響的磁性材料。

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該堆棧還有很多實質性方面，有幾層用作阻擋層或種子層，然后是制造隧道結所固有的非常薄的MgO層，這是MRAM堆棧的核心。由于這個障礙非常薄，因此存在容易被破壞的風險。它需要許多層，許多材料的能力。需要具有這樣的精度，以便可以準確沉積正確的厚度。

因為沉積質量對MRAM器件本身的性能至關重要，而且總的來說，代工廠已經創建了工具集。使MRAM投入生產。這有助于創建一個環境，使公司可以開始專門設計用于人工智能和物聯網（IoT）應用程序的MRAM設備，而持久性，電源門控和電源管理至關重要。 MRAM在此具有一些獨特的功能。

它的功能可能導致MRAM替換現有的內存（例如 sram ）或一起創建新的用例。尋求使MRAM盡可能類似于SRAM，因為它提供了相同的價值主張，但在相同的占用空間內具有三到四倍的內存，而不會帶來SRAM帶來的任何泄漏。盡管持續提煉材料很重要，但自旋存儲器正在采用一種適用于任何磁性隧道結的電路級方法，這使其能夠在耐久性方面提高多個數量級，從而提高了性能。 

Everspin Technologies 是設計制造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領導者，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。 Everspin MRAM 在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎。Everspin代理宇芯電子為用戶提供產品技術指導以及解決方案等產品服務。

新聞名稱：MRAM獨特功能替換現有內存
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